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2014/06/14注册,3 年前活动
把三极管换成4148之类的做钳位,用比较器放大反馈信号,图腾塔驱动mos,估计可以出大功率。这种地线反馈真的好简单,如果玩大了估计可以用在半桥全桥上面

引用 kelan050029:体内二极管续流 方向是反的

MOS管低压IGBT管高压


电磁炉电路

手机有限流,充电器恒压的话该吃多少吃多少。如果充电器电流比手机限流还小,那就是充电器限流了

在学校玩过400v47uf电容储能的3cm长的闪光灯管。。。

于是我就想:用脉频调制控制触发振荡的间隔时间,这样便可在保持ZCS的前提下进行功率调制了。用比较器+二极管自锁可以使开关管在振荡周期中自动另电流关断并等待下一次触发。只是触发电路目前没有什么想法。。。

CCPS电路实质上是桥式ZCS变换电路,我目前在模拟器里用半桥代替全桥,并以同样方式驱动,效果没有变,值得一提的是这样减少了一半的元件正向压降引起的损耗,也将电容的负载一分为二,更重要的是可以少买两只管子。。。此外作者表明这个电路无法用PWM方式调制,但是这个电路可以认为有两个稳态,每个稳态电感中电流都为零而且只要不出发下一个振荡可以保持这个稳态。

引用 format0789:以前确实听说过可控硅的逆变器,还看过电路图,但工作频率不高,利用的是振荡中过零自动关断。 查了一下资料,可控硅的确难以用于高频。不过我在模拟器里以CCPS电路为原型做出了用开关管导通压降进行反馈的模型,能做到单次触发,电路自动振荡半周期到另一个另电流点保持静止,开关管导通和关闭都是零电流。

如果电路设计的当,经过开关管的电流会有过零点,比如高压板块的CCPS电路,如果用可控硅代替IGBT,能否只输入一个脉冲,然后让电路自行完成震荡过程直到关断,保持零电流的状态直到输入下一个脉冲?

当两个mos管同时关断时,电感里还有电流,这怎么解决。。。这貌似没法续流啊

应该是可行的,直接控制G极电阻会使输入的电感产生尖峰吧,除非找到续流的方法。还是用常规的Buck比较好,但是ZVS低压下工作不好,应该有个最小功率限制。Royer+Buck倒真是投入商业应用的方案,用于驱动CCFL。

而且变压器初级的匝数比不是1:1

引用 潜伏:对G级的波形整形,不错,zvs的电压高了功率大,效率急剧降低,电压低了,不起振,超300W的波形都乱 那用比较器驱动ZVS有没有可能呢?在模拟器里感觉ZVS启动还是要有不少线性区的。

引用 潜伏:10k欧电阻是辅助G级泄放电荷,以及保护静电穿管,不是主要途径但很重要 泄放的主要途径应该还是快恢复二极管。即使管子G极有1V左右的因为二极管Vf的残留,也不会使管子导通吧。

今天做了电路,蛮失败的。电路可以起振,但是一旦有负载立刻停振。

楼上这样的方案应该可以改善经典zvs电路空载功率、低压不起振、高频发热的问题。我在multisim模拟过,效果的确很好,G极电压都是直上直下的。。。这样虽然元件数多了些,但是少了两个体积庞大的大功率电阻。

我的想法是:用图腾塔变形后驱动mos管。图腾塔的下面的PNP三极管可以直接用UF4007代替,上面的NPN三极管基极接一个1k欧左右的电阻到对面的D极。振荡后LC回路会产生高于电源电压的电压峰值,这个电压通过1k欧电阻和NPN三极管BC之间的PN结可以储存在一个电容里,并用稳压管稳压,再用这个电容给NPN三极管供电。电路刚接通时可能需要一个二极管加上电阻给电容充一部分电使电路启动。

首先470欧电阻对G极充电需要不少时间,这影响在低电压和高频工作时尤为突出。还有,GS之间的12V稳压管,相当于有将近一半的时间接了个上拉电阻,电源电压大于12V时,电源通过470欧电阻对稳压管放电,感觉很不科学。。。此外那个10k欧电阻存在意义没有搞明白,G极如果有电荷,会很快通过各种途径(470欧、UF4007)泻放掉,即使有电压尖峰,10k欧也做不了什么。

电容滤波用的。复读机电源里面都是这样

向钱看向厚赚 发表于 2014-7-7 19:53这开关很危险看样子开关是接在470欧电阻上的

表示。。。12个s80506个一组做成类似经典zvs的电路。。。可以烧着半毫米粗的铁丝。。。

硝酸银没味道不科学。。。明明很苦啊。。。
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